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龙图腾网获悉安徽大学;中国电子科技集团公司第三十八研究所申请的专利基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120524763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511013211.3，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法是由陈士涛;李亚琦;黄琳;殷秋鹏;张宇;汪伟;黄志祥设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法在说明书摘要公布了：本发明提供了基于电磁‑力‑微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法。涉及射频微机电系统领域，该分析技术涉及多物理场仿真，基于现有的静电‑力‑静磁耦合MEMS磁电天线仿真技术，开创性地引入微磁学铁磁共振理论和全动态Maxwell方程，本技术方法可直接仿真分析新型异质结构射频MEMS磁电天线近场辐射特性。该方法包括：建立MEMS磁电天线芯片的三维几何模型，并对三维几何模型进行几何、材料参数设置，设置三维几何模型的边界条件并进行网格剖分，在传统压电模块和压磁模块耦合的基础上引入微磁学模块，从而得以构建电磁‑力‑微磁耦合方程，包括描述电磁波的Maxwell方程、描述声学效应的牛顿力学运动方程以及描述磁化动力学的LLG方程。

本发明授权基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法在权利要求书中公布了：1.基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法，其特征在于，包括以下步骤： S110.建立MEMS磁电天线芯片的三维几何模型，并对所述模型进行几何参数、材料参数的设置； S120.设置三维几何模型的边界条件并进行网格剖分； S130.在传统压电模块和磁致伸缩模块耦合的基础上引入微磁学模块，构建电磁-力-微磁多物理场耦合方程，包括：描述电磁波传播的动态Maxwell方程；描述声学效应的牛顿力学运动方程；描述磁化动力学的LLG方程； 其中，微磁学模块的引入包括：将磁致伸缩材料离散为微磁单元；通过LLG方程模拟各单元磁矩的动态进动；计算铁磁共振频率下磁矩的稳态响应幅度；且各模块边界条件包括：压电材料与磁致伸缩层材料界面的力学位移连续性条件；磁场和电场的辐射边界条件；微磁模块中磁矩的自由度约束条件； S140.求解多物理场耦合方程，分析磁致伸缩材料的铁磁共振效应及射频天线的辐射场分布，通过调整外磁场频率与材料铁磁共振频率的匹配度优化天线性能。

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