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龙图腾网获悉安徽万朗磁塑股份有限公司;合肥领远新材料科技有限公司申请的专利一种压延磁片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511046074.3，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种压延磁片及其制备方法是由田海明;请求不公布姓名;卫前程设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压延磁片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压延磁片及其制备方法，涉及稀土永磁材料技术领域。所述方法包括S1.按照Sm2Fe17配比，结合Sm过量20%‑30%称量金属Sm和Fe，通过速凝甩带制成合金片；S2.对合金片进行HDDR处理，形成纳米晶，冷却至室温，得到SmFe合金粗粉；S3.对SmFe合金粗粉进行不饱和氮化处理，得到Sm2Fe17Nx粗粉；S4.对Sm2Fe17Nx粗粉进行湿法砂磨，干燥后进行饱和氮化处理，得到Sm2Fe17Ny细粉；S5.向Sm2Fe17Ny细粉中依次加入偶联剂和TPU，经密炼、开炼，最终制备得到的钐铁氮压延磁片具有优异的磁性能，表磁可达1500Gs，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种压延磁片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压延磁片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.按照Sm2Fe17配比，结合Sm过量20%-30%称量金属Sm和Fe，通过速凝甩带制成合金片； S2.合金片无需进行破碎处理，直接进行HDDR处理后，冷却至室温，得到SmFe合金粗粉；HDDR处理依次包括氢化处理、歧化处理、脱氢再化合处理；其中氢化处理温度为180-200℃，时间为0.5h；歧化处理温度为580-620℃，时间为0.5h；脱氢再化合处理温度为750-850℃，时间为0.5h，真空度≤10-3Pa； S3.对SmFe合金粗粉进行不饱和氮化处理，充氮气至气压为0.1-0.15MPa，在380-420℃氮化1h，冷却至室温出料，得到Sm2Fe17Nx粗粉； S4.对Sm2Fe17Nx粗粉进行湿法砂磨，干燥后进行饱和氮化处理，充氮气至气压为0.15-0.2MPa，在500-540℃氮化5h，冷却至室温出料，得到Sm2Fe17Ny细粉； S5.向Sm2Fe17Ny细粉中依次加入偶联剂和TPU，经密炼、开炼得到压延磁片； Sm2Fe17Nx粗粉中x取值范围0.1＜x＜1，Sm2Fe17Ny细粉中y取值范围y＞2.8。

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