买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511027609.2，技术领域涉及：H01S3/10；该发明授权一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统是由余同普;刘文君;李东澳设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统，包括：激光光源，用于产生入射激光，且所述入射激光为一束线偏振激光；等离子体单元，用于提供所述入射激光传输的等离子体环境；磁场发生单元，用于对所述等离子体环境提供单一方向磁化的磁场；所述入射激光的偏振方向与所述磁场的磁化方向具有夹角的设置；所述入射激光基于单一方向磁化的等离子体环境，并利用相对论磁双折射效应或法拉第效应产生圆偏振中红外脉冲。本方案通过线偏振激光与单一方向磁化等离子体相互作用可产生偏振可调的、相对论强度的、少周期、长波长的中红外脉冲。维持脉冲高品质的同时，实现中红外脉冲偏振态的精确调控。

本发明授权一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统在权利要求书中公布了：1.一种偏振可调的超短超强中红外脉冲系统，其特征在于，包括： 激光光源，用于产生入射激光，且所述入射激光为一束线偏振激光；其中，所述入射激光由平行于磁场的磁化方向的O光和垂直于所述磁场的磁化方向的X光合成； 等离子体单元，用于提供所述入射激光传输的等离子体环境； 磁场发生单元，用于对所述等离子体环境提供单一方向磁化的磁场； 所述入射激光的偏振方向与所述磁场的磁化方向具有夹角的设置； 所述入射激光基于单一方向磁化的等离子体环境，并利用相对论磁双折射效应产生圆偏振中红外脉冲； 磁场发生单元为可调的，通过改变磁场强度的大小以调节所输出的中红外脉冲的不同偏振态； 利用相对论磁双折射效应产生圆偏振中红外脉冲，则O光和X光产生不同的色散关系，则调整基于O光和X光不同相速度产生的相位差以转化出圆偏振中红外脉冲；其中，相位差表示为： 其中，取值为为入射激光在等离子体中的传播长度，为入射激光的激光波长，表示背景等离子体密度，表示等离子体电子数密度，表示相对论因子，和分别表示等离子体频率和电子回旋频率，表示电子的电荷量，表示介电常数，表示电子质量，表示磁场强度，表示光速。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。