浙江大学盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种高压SiC功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511055783.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种高压SiC功率器件及其制造方法是由盛况;孔令旭;任娜设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压SiC功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种高压SiC功率器件及其制造方法，包括表面电极、终端区、设置于终端区上的钝化结构，钝化结构与表面电极接触设置，且钝化结构由终端区的表面延伸至表面电极与划片道之间的裸露表面区域，钝化结构呈非平面设置，钝化结构的爬电路径大于表面电极与划片道之间的距离，解决了现有终端结构的钝化层受二维平面限制，难以在不增加芯片尺寸的前提下提升局部放电起始电压和长期可靠性的问题。
本发明授权一种高压SiC功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压SiC功率器件，其特征在于，包括表面电极、终端区、设置于终端区上的钝化结构，所述钝化结构与表面电极接触设置，且所述钝化结构由终端区的表面延伸至表面电极与划片道之间的裸露表面区域，所述钝化结构呈非平面设置，所述钝化结构的爬电路径大于表面电极与划片道之间的距离，所述钝化结构的深度方向为第一方向，所述表面电极朝向划片道的方向为第二方向，所述钝化结构的长度方向为第三方向，且所述第一方向、第二方向以及第三方向之间相互垂直，所述钝化结构在第二方向和或第三方向上呈凹凸结构排布设置，所述钝化结构包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在终端区上，且所述第一钝化层在第一方向和或第三方向上呈凹凸结构排布设置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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