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龙图腾网获悉贵州振华风光半导体股份有限公司申请的专利一种半导体模块封装结构及半导体模块封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511057400.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种半导体模块封装结构及半导体模块封装方法是由陈媛;张健;甘贤鹏;耿峰;李平;付继先;张显亭;姚平平;张敬爱;魏光强;王英鉴;张永健设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体模块封装结构及半导体模块封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体模块封装结构及半导体模块封装方法。半导体模块封装结构包括第一基板、第二基板和金属外壳，其中，第一基板包括相背的第一表面和第二表面，第二基板包括相背的第三表面和第四表面，第四表面向第三表面的方向凹陷形成凹槽，第四表面的未凹陷部分与第一表面电气连接，这种第一基板与第二基板直接互联的结构替代了传统的铜柱互联结构，解决了现有技术中纵向堆叠的半导体封装结构可靠性低，且存在寄生参数较高、热阻较高的风险的问题。

本发明授权一种半导体模块封装结构及半导体模块封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块封装结构，应用于GaN器件领域，其特征在于，包括： 第一基板，包括相背的第一表面和第二表面，所述第一表面设有第一键合指； 第二基板，包括相背的第三表面和第四表面，所述第四表面向所述第三表面的方向凹陷形成凹槽，所述第四表面的未凹陷部分与所述第一表面电气连接，形成前后连通的空腔，所述第三表面设有第二键合指；其中，所述第四表面与所述第一表面相邻，所述第三表面远离所述第一表面； 金属外壳，具有容纳所述第一基板和所述第二基板的腔体，所述第一基板安装在所述腔体内，且所述第二表面与所述金属外壳的底部相贴，所述金属外壳的两个相对侧壁各设有外引脚，所述第二键合指还通过键合引线连接到所述外引脚；所述金属外壳的另外两个相对侧壁正对所述前后连通的空腔； 所述第一基板用于设置目标半导体模块中实现一相同功能的目标单元，所述第二基板用于设置目标半导体模块中实现另一相同功能的目标单元，其中，设置在第一表面的目标单元通过键合引线与所述第一键合指电气连接，设置在第三表面的目标单元通过键合引线与所述第二键合指电气连接； 所述目标半导体模块包括GaN功率模块，所述第一基板和第二基板采用AlN陶瓷基板；采用铣槽的方式将第二基板的部分掏空，以形成左垂直侧壁和右垂直侧壁，或形成左梯形侧壁和右梯形侧壁。

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