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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、功率模组和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511066204.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件、功率模组和电子设备是由李海洋;戴心玥;范梦绮;蔡子东设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、功率模组和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于在提升半导体器件击穿电压的同时降低其动态导通电阻；该半导体器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、势垒调制层、栅极、源极和漏极；其中，缓冲层中掺杂受主元素，缓冲层包括第一受主掺杂区和第二受主掺杂区，第二受主掺杂区中的受主元素的密度小于第一受主掺杂区中的受主元素的密度；在向衬底的第一表面的投影中，第二受主掺杂区与漏极交叠，且第二受主掺杂区的部分位于漏极靠近势垒调制层的一侧。上述半导体器件应用于功率模组中。

本发明授权半导体器件、功率模组和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层、沟道层和势垒层，沿远离所述衬底的方向层叠设于所述衬底上； 势垒调制层，设于所述势垒层远离所述衬底的一侧； 栅极，设于所述势垒调制层远离所述衬底的一侧； 源极和漏极，分别设于所述势垒调制层沿第一方向的两侧，且分别与所述势垒调制层之间具有间距；所述第一方向为垂直于所述衬底的厚度方向； 其中，所述缓冲层中掺杂受主元素，所述缓冲层包括第一受主掺杂区和第二受主掺杂区，所述第二受主掺杂区中的受主元素的密度小于所述第一受主掺杂区中的受主元素的密度；在向所述衬底的第一表面的正投影中，所述第二受主掺杂区与所述漏极交叠，且所述第二受主掺杂区的部分位于所述漏极靠近所述势垒调制层的一侧； 所述第二受主掺杂区嵌设在所述第一受主掺杂区中，在向所述衬底的第一表面的正投影中，所述第一受主掺杂区与所述源极以及所述势垒调制层交叠； 所述第一受主掺杂区包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二受主掺杂区靠近所述源极的一侧； 所述第二部分位于所述第一部分以及所述第二受主掺杂区靠近所述衬底的一侧，且所述第二部分与所述第一部分相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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