浙江大学薛飞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种光电逻辑门器件及其逻辑控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511074210.X，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种光电逻辑门器件及其逻辑控制方法是由薛飞;冯璞设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电逻辑门器件及其逻辑控制方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种光电逻辑门器件及其逻辑控制方法，其中，所述光电逻辑门器件包括：基底、在所述基底上依次堆叠的波导层、上包层、h‑BN纳米片、半导体光响应层以及在所述半导体光响应层两端沉积的源电极和漏电极，所述波导层包括第一波导、第二波导和第三波导，其中：所述半导体光响应层通过干法转移堆叠在所述h‑BN纳米片的正上方，使所述半导体光响应层形成左侧高应变区、中间无应变区、右侧高应变区，其中，所述左侧高应变区与所述第一波导对应，所述中间无应变区与所述第二波导对应，所述右侧高应变区与所述第三波导对应，在单一器件中实现全光输入的OR或门和XOR异或门逻辑功能，并且无需额外的电场进行调控实现。
本发明授权一种光电逻辑门器件及其逻辑控制方法在权利要求书中公布了：1.一种光电逻辑门器件，其特征在于，所述器件包括：基底、在所述基底上依次堆叠的波导层、上包层、h-BN纳米片、半导体光响应层以及在所述半导体光响应层两端沉积的源电极和漏电极，所述基底包括硅以及在所述硅上沉积的氧化硅，所述波导层的上表面与所述氧化硅的上表面齐平，所述波导层包括第一波导、第二波导和第三波导，其中： 所述半导体光响应层通过干法转移堆叠在所述h-BN纳米片的正上方，使所述半导体光响应层形成左侧高应变区、中间无应变区、右侧高应变区，其中，所述左侧高应变区与所述第一波导在垂直方向上对应，所述中间无应变区与所述第二波导在垂直方向上对应，所述右侧高应变区与所述第三波导在垂直方向上对应，所述h-BN纳米片边缘上方的所述半导体光响应层弯曲并在边缘积累应变，所述半导体光响应层接触的左右两个边缘会加载应力，形成两个高应变区域，从而使所述半导体光响应层形成了三种区域，左侧高应变区、中间无应变区、右侧高应变区。
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