通威太阳能(成都)有限公司秦增锋获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511065668.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件是由秦增锋设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。包括：硅基底；设于硅基底的受光面的第一本征钝化层，第一本征钝化层分为第一区域、第二区域以及位于两个区域之间的隔离区域；图形化的第一掺杂层，第一掺杂层设于第一区域的第一本征钝化层上；第一掺杂层中具有掺杂元素；图形化的减反层，减反层设于第二区域的第一本征钝化层上，第一掺杂层与减反层之间通过隔离区域隔开；减反层具有指定元素，指定元素与第一掺杂层的掺杂元素属于同主族元素；图形化的第一透明导电层，第一透明导电层设置于第一掺杂层上。本申请的异质结太阳电池，在确保其具有较高太阳光利用率的同时，能抑制减反层中的指定元素进入到第一掺杂层中。
本发明授权异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池包括： 硅基底； 第一本征钝化层，所述第一本征钝化层设于所述硅基底的受光面，所述第一本征钝化层分为第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的隔离区域； 图形化的第一掺杂层，所述第一掺杂层设于所述第一本征钝化层背离所述硅基底的表面，且所述第一掺杂层的位置与所述第一区域相对应；所述第一掺杂层中具有掺杂元素； 图形化的减反层，所述减反层设于所述第一本征钝化层背离所述硅基底的表面，且所述减反层的位置与所述第二区域相对应，所述第一掺杂层与所述减反层之间通过所述隔离区域隔开；所述减反层具有指定元素，所述指定元素与所述第一掺杂层的所述掺杂元素属于同一主族的元素； 图形化的第一透明导电层，所述第一透明导电层设置于所述第一掺杂层背离所述硅基底的一侧表面。
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