浙江中晶科技股份有限公司楼峰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江中晶科技股份有限公司申请的专利一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511011320.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法是由楼峰;黄笑容;何国君;宋玲锋;陈传凤;蒋委达设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体硅片检测领域，尤其涉及一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法，包括以下步骤：步骤一、硅片化腐，将清洁的硅片放入配置好的具有腐蚀性的碱溶液中，在一定温度以及腐蚀时间的条件下进行腐蚀，形成化腐片；步骤二、检测，采用特定波长的光源照射化腐片，化腐片上反射一定形状的光线条纹；步骤三、判断，根据化腐片上的显现形状结合数据库中的标准图案，判断化腐片的主定位面、副定位面是否准确；利用特定波长的光束照射化腐片，在化腐片上形成一定的光线条纹，通过条纹形状与标准数据库的图案进行比对，实现快速检测主副定位面的位置是否正确，降低了传统检测方式存在将硅片表面污染的技术问题。
本发明授权一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、硅片化腐，将清洁的硅片放入配置好的具有腐蚀性的碱溶液中，设定温度以及腐蚀时间进行腐蚀，形成化腐片； 步骤二、检测，采用光源照射化腐片，化腐片上反射具有形状的光线条纹； 步骤三、判断，根据化腐片上的显现形状结合数据库中的标准图案，判断化腐片的主定位面1、副定位面2是否准确； 所述步骤二中，入射光束被晶体腐蚀坑底的低指数面反射，在硅片表面形成中心光点，坑壁的密排低指数面所反射的光束在硅片表面形成对称光瓣。
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