浙江科技大学史宏声获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江科技大学申请的专利单炉生长多种晶体的设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120625156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511095384.4，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权单炉生长多种晶体的设备及方法是由史宏声设计研发完成，并于2025-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本单炉生长多种晶体的设备及方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种单炉生长多种晶体的设备及方法，所述设备包括：炉体，内部自上而下设有至少三个温区，顶部温区的温度大于底部温区的温度；温控单元，设置在每个温区内；隔热层，设置在相邻两个温区之间，隔热层的中部设有开口，开口的顶部在水平面的正投影为第一投影，底部在水平面的正投影为第二投影，第二投影覆盖第一投影；引下管，依次贯穿每个隔热层的开口设置，内部自上而下设有至少两个坩埚，每个坩埚用于承载一种晶体的原料，且对应一个温区设置；引下管和坩埚之间填充有保温材料，其导热系数随温度降低而降低；驱动单元，与引下管连接。本申请提供的单炉生长多种晶体的设备及方法，简单方便，效率高，可大大降低晶体生长成本。
本发明授权单炉生长多种晶体的设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种单炉生长多种晶体的设备，其特征在于，包括： 炉体，所述炉体的内部自上而下设有至少三个温区，靠近所述炉体的顶部的所述温区的温度大于靠近所述炉体的底部的所述温区的温度； 温控单元，设置在每个所述温区内，用于控制所述温区的温度； 隔热层，设置在相邻两个所述温区之间，所述隔热层的中部设有开口，所述开口靠近所述炉体的顶部的一侧在水平面的正投影为第一投影，所述开口靠近所述炉体的底部的一侧在水平面的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影； 引下管，位于所述炉体的内部，依次贯穿每个所述隔热层的所述开口设置，所述引下管的内部自上而下设有至少两个坩埚，每个所述坩埚用于承载一种晶体的原料，且对应一个所述温区设置；所述引下管和所述坩埚之间填充有保温材料，所述保温材料的导热系数随温度降低而降低； 驱动单元，与所述引下管连接，用于驱动所述引下管升降移动。
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