深圳市智芯微纳科技有限公司李剑获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市智芯微纳科技有限公司申请的专利一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120629505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511138459.2,技术领域涉及:G01N33/00;该发明授权一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法及系统是由李剑;温剑锐;麻玉典设计研发完成,并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法及系统在说明书摘要公布了:本申请涉及零点漂移补偿技术领域,具体涉及一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法及系统,该方法包括:将MEMS氢气传感器放入恒温恒湿试验箱中,采集MEMS氢气传感器在各预设温度下各时刻的输出电压;确定各预设温度下各时刻的输出电压的第一分布特征值与第二分布特征值;得到各预设温度下各时刻的输出电压的剔除系数;利用所述剔除系数去除各预设温度下采集的所有输出电压中的噪声数据,协同预设温度与各时刻输出电压对应的湿度,拟合非线性多元回归模型,结合MEMS氢气传感器的零点电压,对MEMS氢气传感器的输出电压进行漂移补偿。从而提高MEMS氢气传感器的漂移补偿精度。
本发明授权一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种MEMS氢气传感器的漂移补偿方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 将MEMS氢气传感器放入恒温恒湿试验箱中,采集MEMS氢气传感器在各预设温度下各时刻的输出电压; 分析各预设温度下各时刻的输出电压与其邻近时刻的输出电压的差异,结合MEMS氢气传感器的额定输出电压,确定各预设温度下各时刻的输出电压的第一分布特征值; 分析任一预设温度下各时刻的输出电压与其余各预设温度下湿度最接近的输出电压的差异,结合所述额定输出电压,确定所述任一预设温度下各时刻的输出电压的第二分布特征值; 融合所述第一分布特征值与所述第二分布特征值,确定各预设温度下各时刻的输出电压的剔除系数;利用所述剔除系数去除各预设温度下采集的所有输出电压中的噪声数据; 将所有预设温度下去除噪声数据后的输出电压组成样本数据集,协同预设温度与各时刻输出电压对应的环境湿度,拟合非线性多元回归模型,结合MEMS氢气传感器的零点电压,对MEMS氢气传感器的输出电压进行漂移补偿; 所述第二分布特征值的确定包括: 将所述任一预设温度下各时刻的输出电压与其余各预设温度下湿度最接近的输出电压的差异,记为第一差异,计算所述任一预设温度下各时刻的所述第一差异与MEMS氢气传感器的额定最大输出电压的比值,记为第一比值; 计算所述任一预设温度下各时刻的所述第一比值与所述任一预设温度下所有时刻的所述第一比值之间的差异的平均值; 所述第二分布特征值为所述任一预设温度下各时刻对应的所有所述平均值的均值; 所述利用所述剔除系数去除各预设温度下采集的所有输出电压中的噪声数据,包括: 对各预设温度下所有时刻的输出电压的剔除系数降序排列,将前预设百分比个剔除系数对应的输出电压作为噪声数据进行去除。
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