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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利2T-eFlash结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511121679.4，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权2T-eFlash结构及形成方法是由康绍磊;姚福民设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本2T-eFlash结构及形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种2T‑eFlash结构及形成方法，包括：提供一衬底，并在衬底上形成N阱区和浅沟槽隔离结构；在靠近浮栅对应沟道区域的浅沟槽隔离结构内形成两个凹槽，且两个凹槽对称设置于所述N阱区的两侧；形成栅氧结构，栅氧结构覆盖所述N阱区、浅沟槽隔离结构以及凹槽的底部和侧壁；沉积多晶硅，至少填满所述凹槽；定义多晶硅图形，形成浮栅；在浮栅的侧壁形成侧墙结构；在浮栅的顶部沉积复合绝缘层结构；形成层间介质层，以及贯穿层间介质层的大尺寸接触孔；在大尺寸接触孔内填充导电填充材料，形成控制栅。本发明提高了编程和擦除的效率，减少了工艺步骤，提升了工艺稳定性。

本发明授权2T-eFlash结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种2T-eFlash结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，并在所述衬底上形成N阱区23和浅沟槽隔离结构22； 在靠近浮栅对应沟道区域的浅沟槽隔离结构22内形成两个凹槽25，且两个凹槽25对称设置于所述N阱区23的两侧； 形成栅氧结构26，所述栅氧结构26覆盖所述N阱区23、浅沟槽隔离结构22以及所述凹槽25的底部和侧壁； 沉积多晶硅27，至少填满所述凹槽25； 定义多晶硅图形，形成浮栅； 在浮栅的侧壁形成侧墙结构28； 在浮栅的顶部沉积复合绝缘层结构； 形成层间介质层214，以及贯穿层间介质层214的大尺寸接触孔217； 在所述大尺寸接触孔217内填充导电填充材料，形成控制栅218； 在靠近浮栅对应沟道区域的浅沟槽隔离结构22内形成两个凹槽25，包括： 形成图案化的第一光刻胶结构24，在需要形成凹槽25的区域去除对应的第一光刻胶结构24，暴露出对应的所述浅沟槽隔离结构22的顶部； 通过干法刻蚀工艺在所述浅沟槽隔离结构22的内部形成初步的凹槽25； 通过湿法腐蚀工艺扩大凹槽25的尺寸，并去除凹槽25与N阱区23之间水平方向的浅沟槽隔离结构22，形成最终的凹槽25；在通过湿法腐蚀工艺后所形成的凹槽25的深度d1为所述N阱区23宽度W的二分之一；所述凹槽25的宽度L满足：L=k×d1，其中，k为0.8-1的任意值。

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