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龙图腾网获悉江苏丽隽功率半导体有限公司申请的专利SiC MOS动态特性预测方法、系统及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120671618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511178573.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权SiC MOS动态特性预测方法、系统及介质是由范捷;许剑设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOS动态特性预测方法、系统及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了SiCMOS动态特性预测方法、系统及介质，涉及特性预测技术领域，包括：收集得到SiCMOS器件的多维特征信息，并基于所述多维特征信息构建SiCMOS耦合模型；通过所述SiCMOS耦合模型得到模拟记录，并引入预定验证策略对所述模拟记录进行验证分析，得到模拟验证结果；当所述模拟验证结果满足预定模拟约束时，调取所述SiCMOS耦合模型模拟得到所述SiCMOS器件的预测动态特性。本发明解决现有技术无法在开关前有效预测SiCMOS器件动态特性的技术问题，通过构建耦合模型并进行模拟验证分析，达到实现动态特性的精准预测的技术效果。

本发明授权SiC MOS动态特性预测方法、系统及介质在权利要求书中公布了：1.SiCMOS动态特性预测方法，其特征在于，包括： 收集得到SiCMOS器件的多维特征信息，并基于所述多维特征信息构建SiCMOS耦合模型； 通过所述SiCMOS耦合模型得到模拟记录，并引入预定验证策略对所述模拟记录进行验证分析，得到模拟验证结果； 当所述模拟验证结果满足预定模拟约束时，调取所述SiCMOS耦合模型模拟得到所述SiCMOS器件的预测动态特性； 其中，所述模拟记录包括栅极充电模拟数据、开关特性模拟数据和反向恢复模拟数据，通过所述SiCMOS耦合模型得到模拟记录，并引入预定验证策略对所述模拟记录进行验证分析，得到模拟验证结果，包括： 提取所述预定验证策略中的静态验证预案； 根据所述静态验证预案，测量得到静态验证信息，其中，所述静态验证信息包括多组具备温度标识的充电特性，且所述多组具备温度标识的充电特性中的每组充电特性都包括转移特性和输出特性； 提取所述预定验证策略中的动态验证预案； 根据所述动态验证预案，测量得到动态验证信息，其中，所述动态验证信息包括开关特性和反向恢复特性； 分析所述转移特性和所述输出特性、所述开关特性和所述反向恢复特性，得到所述模拟验证结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏丽隽功率半导体有限公司，其通讯地址为：214101 江苏省无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场12楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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