中国地质大学(武汉);广州南沙地大滨海研究院;中国地质大学深圳研究院孙庆磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国地质大学(武汉);广州南沙地大滨海研究院;中国地质大学深圳研究院申请的专利一种小尺寸GaN/金刚石集成片的高精度抛磨处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120674315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511190414.X，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种小尺寸GaN/金刚石集成片的高精度抛磨处理方法是由孙庆磊;李嘉宁;蒋宏勇;刘富初;李施霖;陈博远设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种小尺寸GaN/金刚石集成片的高精度抛磨处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种小尺寸GaN金刚石集成片的高精度抛磨处理方法，属于半导体器件技术领域，包括以下步骤：对GaN金刚石集成片的衬底层进行除杂预处理；在GaN金刚石集成片的四个侧面均形成第一光固化树脂保护层；对GaN金刚石集成片的衬底层进行化学机械抛光；在GaN金刚石集成片的金刚石层表面形成第二光固化树脂保护层；对GaN金刚石集成片进行刻蚀处理；对GaN金刚石集成片进行热处理。本发明可以在不损伤GaN金刚石集成片的Si键合层的情况下，完成对GaN金刚石集成片的抛光及刻蚀，且处理方法比较简单、兼顾了3D打印高精度和低成本保护的优势；本发明方法处理得到的GaN金刚石集成片的性能更好、质量更优。
本发明授权一种小尺寸GaN/金刚石集成片的高精度抛磨处理方法在权利要求书中公布了：1.一种小尺寸GaN金刚石集成片的高精度抛磨处理方法，所述GaN金刚石集成片包括连接在GaN层和金刚石层间的Si键合层，其特征在于，包括以下步骤： S1、对所述GaN金刚石集成片的衬底层进行除杂预处理； S2、对所述GaN金刚石集成片进行第一次立体光刻成型，在所述GaN金刚石集成片的四个侧面均形成第一光固化树脂保护层； S3、对所述GaN金刚石集成片的所述衬底层进行化学机械抛光，以将所述衬底层部分去除； S4、对所述GaN金刚石集成片进行第二次立体光刻成型，在所述GaN金刚石集成片的所述金刚石层表面形成第二光固化树脂保护层； S5、对所述GaN金刚石集成片进行刻蚀处理，以将所述衬底层完全去除； S6、对所述GaN金刚石集成片进行热处理，以去除所述第一光固化树脂保护层和所述第二光固化树脂保护层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(武汉);广州南沙地大滨海研究院;中国地质大学深圳研究院，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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