中国科学技术大学王进红获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利低温CMOS的迁移率提取方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120688425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511202283.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权低温CMOS的迁移率提取方法、系统、设备及存储介质是由王进红;汪骋;谭傲;陈高昊;胡雪野;刘树彬设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本低温CMOS的迁移率提取方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温CMOS的迁移率提取方法、系统、设备及存储介质，它们是相对应的方案，该方案：在无需预设迁移率模型的前提下，可从标准I—V数据中准确提取有效载流子迁移率，避免模型依赖带来的误差；并且，可有效区分并量化强场与弱场对迁移率的不同贡献，从而实现迁移率物理机制的解耦；同时，同步提取漏源寄生电阻，避免其对迁移率误差的干扰，增强建模的一致性与物理完整性；此外具有良好的鲁棒性与通用性，适用于不同工艺节点、不同尺寸器件，便于集成至自动化建模与评估流程中；最后，所提取的迁移率具备明确的物理参数解释性，可直接用于低温电路仿真、工艺分析与器件可靠性评估等任务，具有重要的工程实用价值。
本发明授权低温CMOS的迁移率提取方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种低温CMOS的迁移率提取方法，其特征在于，包括： 基于载流子输运机制，将有效载流子迁移率的倒数分解为强场散射项与弱场散射项； 结合强场散射项与弱场散射项，构建线性区电阻模型； 结合线性区电阻模型与导数处理技术获得增强电阻模型，并利用待测器件与选定参考器件的阈值电压偏移，提取出待测器件的阈值电压； 利用增强电阻模型对弱场散射项进行定量建模与幂律拟合，获得幂律模型参数； 结合幂律模型参数提取出强场散射项参数以及参考器件的漏源寄生电阻； 利用参考器件的漏源寄生电阻，并结合待测器件的电流电压测量数据，计算出待测器件的有效载流子迁移率，以及通过数学解析重构有效载流子迁移率模型，结合幂律模型参数以及强场散射项参数量化强场散射项与弱场散射项的贡献。
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