拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司魏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种挡板结构、喷淋组件及应用其的半导体设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223481270U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423045295.2,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型一种挡板结构、喷淋组件及应用其的半导体设备是由魏薇;张赛谦;沈丰慧;齐佳美;魏有雯;汤雨竹设计研发完成,并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种挡板结构、喷淋组件及应用其的半导体设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种挡板结构、喷淋组件及应用其的半导体设备,挡板结构位于进气口和喷淋板之间,挡板结构包括挡板本体以及通气孔,通气孔开设在挡板本体上;沿着从中心向边缘的方向,挡板本体向下倾斜。当气体通过进气口进入后,其会经过挡板本体的上表面,由于挡板本体的边缘向下倾斜,这使得挡板本体周围的流场发生变化,进而使得压差发生改变,使得气体能够更好的流向边缘,并且由于边缘向下倾斜,这使得挡板本体与上方用于设置进气口的进气单元之间具有较大的面积,能够使得此处的气体更加充足,进而避免大部分气体集中在薄膜中间位置而导致目标薄膜的厚度呈阶梯状,厚度均匀性差的问题。
本实用新型一种挡板结构、喷淋组件及应用其的半导体设备在权利要求书中公布了:1.一种挡板结构,其特征在于,所述挡板结构位于进气口和喷淋板之间,所述挡板结构包括挡板本体以及通气孔,所述通气孔开设在所述挡板本体上;沿着从中心向边缘的方向,所述挡板本体向下倾斜。
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