中国科学院微电子研究所汪令飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种类非易失性静态随机存取存储器电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223486702U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422691302.X，技术领域涉及：G11C11/414；该实用新型一种类非易失性静态随机存取存储器电路是由汪令飞;刘亚鑫;李旭帆;张帅迪;张春雨;顾宸;尚坷欣;段胜超;耿玓;李泠设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种类非易失性静态随机存取存储器电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种类非易失性静态随机存取存储器电路，属于半导体存储器件技术领域，解决了现有技术中SRAM掉电数据易丢失的问题。包括：4T‑SRAM、第一2T0C‑DRAM、第二2T0C‑DRAM、第一IGZO‑TFT晶体管、第二IGZO‑TFT晶体管；实现了周期性的数据备份和掉电后重新供电数据的恢复。
本实用新型一种类非易失性静态随机存取存储器电路在权利要求书中公布了：1.一种类非易失性静态随机存取存储器电路，包括：4T-SRAM、第一2T0C-DRAM、第二2T0C-DRAM、第一IGZO-TFT晶体管、第二IGZO-TFT晶体管；其中， 所述第一IGZO-TFT晶体管的源极连接4T-SRAM的Q点，漏极连接第一2T0C-DRAM中读出管的源极，栅极输入开关控制信号； 所述第二IGZO-TFT晶体管的源极连接4T-SRAM的点，漏极连接第二2T0C-DRAM中读出管的源极，栅极输入开关控制信号； 第一2T0C-DRAM中写入管的漏极连接Q点；第二2T0C-DRAM中写入管的漏极连接点；所述第一2T0C-DRAM中读出管的漏极和第二2T0C-DRAM中读出管的漏极连接电源；第一2T0C-DRAM中写入管的栅极和第二2T0C-DRAM中写入管的栅极连接时钟信号。
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