香港科技大学(广州)徐巍获国家专利权
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龙图腾网获悉香港科技大学(广州)申请的专利一种半导体刻蚀烘干装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487003U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202522004021.7，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型一种半导体刻蚀烘干装置是由徐巍;李艺杰设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体刻蚀烘干装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体刻蚀烘干装置，涉及半导体加工技术领域，包括装置主体及烘干机构；所述装置主体设有烘干腔以及等待腔；所述烘干腔具有连通所述装置主体的外部且供工件通过的第一连通口；所述烘干机构安装于所述烘干腔中用于对位于所述烘干腔中的所述工件进行烘干；所述等待腔具有连通所述装置主体外部且供所述工件通过的第二连通。通过集成等待腔，当烘干腔被占用时，已完成刻蚀的工件可先通过第二连通口进入等待腔暂存。等待腔的存在使得刻蚀槽在工件刻蚀完成后能及时进行下一轮刻蚀作业，避免了刻蚀槽因等待烘干腔空闲而闲置，大大提高了刻蚀槽的利用率，提升刻蚀效率。
本实用新型一种半导体刻蚀烘干装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀烘干装置，其特征在于，包括装置主体1及烘干机构2； 所述装置主体1设有烘干腔11以及等待腔12； 所述烘干腔11具有连通所述装置主体1的外部且供工件通过的第一连通口111； 所述烘干机构2安装于所述烘干腔11中用于对位于所述烘干腔11中的所述工件进行烘干； 所述等待腔12具有连通所述装置主体1外部且供所述工件通过的第二连通口121。
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