苏州隐冠半导体技术有限公司;上海隐冠半导体技术有限公司江旭初获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州隐冠半导体技术有限公司;上海隐冠半导体技术有限公司申请的专利一种静电吸附装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487029U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422701066.5，技术领域涉及：H01L21/683；该实用新型一种静电吸附装置是由江旭初;孙志鹏;陶伟杰设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电吸附装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种静电吸附装置，包括基体和电极层，电极层在基体上表面；电极层用于静电吸附；基体的下表面有底面和基体上表面之间存在薄壁部的第一盲孔。本实用新型通过基体设置嵌件的第一盲孔与基体上表面之间的薄壁部，使固定嵌件无需打通基体上表面，使基体上表面经过嵌件安装位置的电极层可设置电极，提高可实现的电极面积，进而提高静电吸附装置可实现的静电吸附力和静电吸附力的分布均匀性；同时薄壁部的厚度保证薄壁部上的电极和嵌件在第一盲孔内的安装可靠性；另外嵌件朝下表面对应位置的连接通孔为沉孔，使固定嵌件时固定底座底面可保持平整，固定可靠性强；最后嵌件朝侧面的第二螺纹孔使固定嵌件时固定底座底面不受影响，操作方便。
本实用新型一种静电吸附装置在权利要求书中公布了：1.一种静电吸附装置，其特征在于，所述静电吸附装置包括：基体20和电极层11，所述电极层11位于所述基体20的上表面； 所述电极层11包括第一电极区111和第二电极区115，所述第一电极区111和所述第二电极区115的极性相反，用于进行静电吸附； 所述基体20的下表面设置有第一盲孔21，所述第一盲孔21的底面和所述基体20的上表面之间存在预设厚度的薄壁部22。
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