台湾积体电路制造股份有限公司林子敬获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487039U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422926853.X，技术领域涉及：H01L21/762；该实用新型半导体装置是由林子敬;刘骏逸;赖俊良;李艾璇;吴昀铮设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构。每一介电结构包含：一介电体积；一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面；一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第一介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；及一第二连续蚀刻终止层，直接接触该第二介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面。所述多个介电结构的一深度负载为±60纳米。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构； 其中每一介电结构包含： 一介电体积； 一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面； 一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第一介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；及 一第二连续蚀刻终止层，直接接触该第二介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面； 其中所述多个介电结构的一深度负载为±60纳米。
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