深圳真茂佳半导体有限公司谢文华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利双面散热功率半导体封装结构及电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487049U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423046745.X，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型双面散热功率半导体封装结构及电子装置是由谢文华;任炜强设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本双面散热功率半导体封装结构及电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双面散热功率半导体封装结构及电子装置,涉及功率半导体封装的技术领域。双面散热功率半导体封装结构包括引线框架、芯片主体、覆铜陶瓷基板、封胶体等组件，通过芯片主体的翻转设置、覆铜陶瓷基板的错位附合及漏极接脚的曲折设计，实现了双面散热，提高了散热效率和可靠性。此外，散热基岛、栅极接脚和漏极接脚的共平面设计进一步优化了封装结构，确保了良好的电气性能和热传导性能。
本实用新型双面散热功率半导体封装结构及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种双面散热功率半导体封装结构，其特征在于，包括： 引线框架10，包括栅极接脚11、漏极接脚12及散热基岛13，所述漏极接脚12具有曲折部121； 芯片主体20，翻转设置于所述引线框架10上，所述芯片主体20具有正面21和对应的背面22，所述正面21设有源极垫23与栅极垫24，所述背面22设有漏极垫25；所述源极垫23接合于所述散热基岛13，所述栅极垫24接合于所述栅极接脚11； 覆铜陶瓷基板30，错位式附合于所述芯片主体20的背面22，所述覆铜陶瓷基板30仅在其内表面形成有漏极层31；当所述漏极层31接合于位在所述背面22的漏极垫25，所述漏极层31具有超出所述芯片主体20的引脚安装区，所述漏极接脚12呈曲折而接合于所述漏极层31的引脚安装区； 封胶体40，形成于所述散热基岛13的第一下表面与所述覆铜陶瓷基板30的外表面之间，以密封所述芯片主体20与所述漏极接脚12的曲折部121，所述覆铜陶瓷基板30的外表面显露于所述封胶体40的顶面，所述散热基岛13的第一下表面、所述栅极接脚11的第二下表面与所述漏极接脚12的第三下表面皆显露于所述封胶体40的底面。
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