瑞峰半导体股份有限公司林健财获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞峰半导体股份有限公司申请的专利具有硅穿孔的基板结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487052U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422791893.8，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型具有硅穿孔的基板结构是由林健财;戴国瑞;李权丰;林俊宏设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有硅穿孔的基板结构在说明书摘要公布了：于此提供一种具有硅穿孔的基板结构。多数个硅穿孔结构设置于基板中且垂直贯通于基板的第一面和基板的第二面之间，其中任一硅穿孔结构包括一邻近基板的第一面的导电垫、一贯通电极和介于贯通电极和基板之间的一衬层。在从基板的第二面进行薄化后，硅穿孔结构的贯通电极和对应的衬层突出于基板的第二面上，之后将一绝缘聚合物层覆盖于基板的第二面上，且绝缘聚合物层共形地覆盖于突出的贯通电极和衬层上。
本实用新型具有硅穿孔的基板结构在权利要求书中公布了：1.一种具有硅穿孔的基板结构，其特征在于，包括: 一基板，具有相对的一第一面和一第二面； 多数个硅穿孔结构设置于所述基板中且垂直贯通于所述基板的所述第一面和所述基板的所述第二面之间，所述多数个硅穿孔结构中的每个包括一导电垫、一贯通电极和一衬层， 所述导电垫邻近所述基板的所述第一面； 所述衬层介于所述基板和所述贯通电极之间；以及 所述贯通电极的一第一面接触所述导电垫，所述贯通电极的一第二面邻近所述基板的所述第二面；以及 一绝缘聚合物层覆盖于所述基板的所述第二面上，至少部分所述多数个硅穿孔结构中的每个的所述贯通电极和对应的所述衬层突出于所述基板的所述第二面上，且所述绝缘聚合物层共形地覆盖于突出的所述贯通电极和所述衬层上。
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