日月光半导体制造股份有限公司陈建汎获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223487053U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422648511.6，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型封装结构是由陈建汎;陈嘉滨;田佳昇设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了封装结构，包括：底部封装件，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，底部封装件包括邻近第一表面的第一再分布结构和邻近第二表面的第二再分布结构；第一焊料，设置在第一再分布结构下方；第二焊料，设置在第二再分布结构上方；第一层间金属化合物，设置在第一焊料与第一再分布结构之间；以及第二层间金属化合物，设置在第二焊料与第二再分布结构之间，其中，第一再分布结构中的第一内通孔和第二再分布结构中的第二内通孔朝向相同的方向渐缩，并且其中，第一层间金属化合物的厚度大于第二层间金属化合物的厚度。本申请提供的封装结构中的第一、第二再分布结构的设计提高了相应封装结构的良率，并且减少了其翘曲。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 底部封装件，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述底部封装件包括邻近所述第一表面的第一再分布结构和邻近所述第二表面的第二再分布结构； 第一焊料，设置在所述第一再分布结构下方； 第二焊料，设置在所述第二再分布结构上方； 第一层间金属化合物，设置在所述第一焊料与所述第一再分布结构之间；以及 第二层间金属化合物，设置在所述第二焊料与所述第二再分布结构之间， 其中，所述第一再分布结构中的第一内通孔和所述第二再分布结构中的第二内通孔朝向相同的方向渐缩，并且其中，所述第一层间金属化合物的厚度大于所述第二层间金属化合物的厚度。
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