北京纳米维景科技有限公司高建获国家专利权
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龙图腾网获悉北京纳米维景科技有限公司申请的专利一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223488334U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422608102.3,技术领域涉及:H04N25/77;该实用新型一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片是由高建;崔志立设计研发完成,并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片,包括标准像素列、非标像素列和行选通电路。其中,标准像素列包括标准像素,非标像素列包括像素,非标像素的感光范围小于标准像素。行选通电路布置于非标像素列的一侧。本实用新型提供的成像传感器芯片,将行选通电路布置位置由传统的成像传感器边缘部分,移动到中间区域的像素列之间,减少成像传感器芯片左右两侧的无像素区域和拼接接缝,为后续的图像处理和重建提供更少缺失范围的原始图像。
本实用新型一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片在权利要求书中公布了:1.一种左右边缘无像素区域对称的成像传感器芯片,其特征在于包括标准像素列、非标像素列和行选通电路;其中, 所述标准像素列包括标准像素,所述非标像素列包括非标像素,所述非标像素的感光范围小于所述标准像素; 所述非标像素列位于两列所述标准像素列之间;所述行选通电路布置于所述非标像素列的一侧。
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