日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112992825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110095053.6,技术领域涉及:H01L23/48;该发明授权半导体结构及其制造方法是由黄文宏;苏育贤设计研发完成,并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开涉及半导体结构及其制造方法,在基板和重布线层之间出现层偏的情况下,先确定出重布线层相对于基板的偏移量,然后根据偏移量调整激光的能量分布,进而由光的反射形成斜孔结构的导通孔,以实现基板和重布线层之间的电性连接。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,包括: 基板,所述基板具有第一对位标记; 粘合层,设于所述基板上; 重布线层,设于所述粘合层上,所述重布线层具有第二对位标记; 导通孔,贯穿所述粘合层和所述重布线层,所述导通孔为斜孔结构,所述重布线层与所述基板通过所述导通孔电性连接; 其中,所述第一对位标记和所述第二对位标记为十字形对位标记,所述第一对位标记相对于所述第二对位标记在第一预设方向或第二预设方向的偏移量小于等于所述导通孔的上开孔的孔径。
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