台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司韩峰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894515.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制造方法是由韩峰;时磊;蔡宏智;苏亮宇;樊航设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：栅极结构、双扩散区域、源极区域、漏极区域、第一栅极间隔件以及第二栅极间隔件。栅极结构位于半导体衬底之上。双扩散区域位于半导体衬底中并且横向延伸超过栅极结构的第一侧。源极区域位于半导体衬底中并且与栅极结构的第二侧相邻，第二侧与第一侧相对。漏极区域位于半导体衬底中的双扩散区域中并且具有与双扩散区域相同的导电类型。第一栅极间隔件位于栅极结构的第一侧。第二栅极间隔件沿着第一栅极间隔件的最外侧壁从双扩散区域向上延伸，并且在到达栅极结构的顶表面之前终止。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 栅极结构，所述栅极结构位于半导体衬底之上； 双扩散区域，所述双扩散区域位于所述半导体衬底中并且横向延伸超过所述栅极结构的第一侧； 源极区域，所述源极区域位于所述半导体衬底中并且与所述栅极结构的第二侧相邻，所述第二侧与所述第一侧相对； 漏极区域，所述漏极区域位于所述半导体衬底中的所述双扩散区域中并且具有与所述双扩散区域相同的导电类型； 第一栅极间隔件，所述第一栅极间隔件位于所述栅极结构的第一侧；以及 第二栅极间隔件，所述第二栅极间隔件沿着所述第一栅极间隔件的最外侧壁从所述双扩散区域向上延伸，并且在到达所述栅极结构的顶表面之前终止，其中，所述第二栅极间隔件具有与所述漏极区域的边界对准的最外端表面， 其中，所述第一栅极间隔件与所述栅极结构的第一侧的下部区域接触，并且所述第二栅极间隔件与所述栅极结构的第一侧的上部区域接触。
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