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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利有源矩阵基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110743785.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权有源矩阵基板及其制造方法是由大东彻;铃木正彦;西宫节治;原健吾;高畑仁志;菊池哲郎设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源矩阵基板及其制造方法在说明书摘要公布了：提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域的至少一部分具有包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜和配置在高迁移率氧化物半导体膜之上且迁移率比高迁移率氧化物半导体膜的迁移率低的低迁移率氧化物半导体膜的层叠结构，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域在整个范围内包含高迁移率氧化物半导体膜和低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

本发明授权有源矩阵基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备： 基板；以及 多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极， 上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域， 上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT， 在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的至少一部分具有：层叠结构，其包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜、以及配置在上述高迁移率氧化物半导体膜之上且与上述高迁移率氧化物半导体膜相比具有相对低的迁移率的低迁移率氧化物半导体膜， 在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内包含上述高迁移率氧化物半导体膜和上述低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜， 上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT还具有源极电极和漏极电极， 上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT的上述氧化物半导体层包含位于上述第1区域的两侧的第1接触区域和第2接触区域，上述第1接触区域电连接到上述源极电极，上述第2接触区域电连接到上述漏极电极， 上述第2TFT的上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方电极隔着下部绝缘层配置在上述第2TFT的上述氧化物半导体层的上述基板侧， 上述第2TFT中的上述第1区域包含上述低迁移率氧化物半导体膜，而不包含上述高迁移率氧化物半导体膜， 上述第2TFT中的上述第1接触区域和上述第2接触区域中的至少一方具有包含上述低迁移率氧化物半导体膜、以及包括上述高迁移率氧化物半导体膜的连接层的层叠结构，上述连接层在上述下部绝缘层的开口部内电连接到上述至少一方电极。

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