桂林电子科技大学彭英获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111006804.9，技术领域涉及：H10N10/851；该发明授权一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法是由彭英;农剑;苗蕾;高杰;刘呈燕设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法。一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：1在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；2将上述1中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；3将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到掺杂氧化物的硅锗基热电材料。本发明通过特定氧化物氧化硼的掺杂并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
本发明授权一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料，其特征在于，其通式为Si80Ge20B1～2B2O30.1～1； 所述的掺杂氧化物的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤： 1在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，所述的原材料包括硅粉、锗粉、硼粉和氧化硼粉，硅粉、锗粉、硼粉和氧化硼粉，硅粉、锗粉、硼粉和氧化硼粉的摩尔比为80:20:1～2:0.1～1，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体； 2将上述1中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实； 3将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，对模具上下两端各施加10～100MPa压力，压实前驱粉体，抽真空至5～20Pa，随后全程以20～100℃分钟的升温速度，升温至950℃～1200℃，保温1～30分钟，冷却后，得到掺杂氧化物的硅锗基热电材料。
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