美光科技公司P·凡蒂尼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利基于自选存储器单元的人造突触获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114341982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059310.4，技术领域涉及：G11C11/54；该发明授权基于自选存储器单元的人造突触是由P·凡蒂尼设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自选存储器单元的人造突触在说明书摘要公布了：用于利用SSM单元实施人造突触的设备和方法。泄露整合放电电路可响应于阈值数量个脉冲从信号线施加到栅极而将反馈信号提供到SSM单元。所述SSM单元的最终状态可取决于最新的所述阈值数量个脉冲与所述反馈信号的初始脉冲之间的时间差。
本发明授权基于自选存储器单元的人造突触在权利要求书中公布了：1.一种用于利用自选存储器实施人造突触的设备，其包括： 晶体管，其包括栅极、第一端子和第二端子； 自选存储器SSM单元，其耦合到所述第一端子； 信号线，其耦合到所述栅极；以及 泄露整合放电电路，其耦合到所述SSM单元且耦合到所述第二端子； 其中所述泄露整合放电电路配置成响应于阈值数量个脉冲从所述信号线施加到所述栅极而将反馈信号提供到所述SSM单元； 其中所述SSM单元的最终状态取决于最新的所述阈值数量个脉冲与所述反馈信号的初始脉冲之间的时间差； 其中所述反馈信号用以使包含在所述SSM单元中的硫族化物材料呈两种状态中的一种； 其中所述反馈信号包括所述初始脉冲和相反极性的额外脉冲； 其中所述SSM单元具有量值小于一微微安培的泄漏电流； 其中所述反馈信号具有数百毫伏的数量级； 其中所述反馈信号的所述初始脉冲和所述额外脉冲的持续时间具有数十纳秒的数量级；且 其中与使所述硫族化物材料呈两种状态中的一种相关联的能耗具有小于一微微焦耳的数量级。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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