桑迪士克科技有限责任公司王彦杰获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利通过循环相关的电压斜坡目标和定时控制进行的峰值电流和编程时间优化获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115019857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110683955.1,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权通过循环相关的电压斜坡目标和定时控制进行的峰值电流和编程时间优化是由王彦杰;H·钦;梁癸容;吴建志设计研发完成,并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过循环相关的电压斜坡目标和定时控制进行的峰值电流和编程时间优化在说明书摘要公布了:本发明公开了一种装置,该装置包括多个固态存储元件、耦接到多个固态存储元件的多个控制线以及与多个控制线通信的控制电路。该控制电路被配置为在控制线预充电阶段的第一时段期间,至少部分地基于与控制线的编程状态相关联的预测寄生电容,使用经调节的充电电流对多个控制线中的一个或多个未选择的控制线充电一定的时间段,并且在控制线预充电阶段的第二时段期间,使用未调节的充电电流将一个或多个未选择的位线充电至禁止电压电平。
本发明授权通过循环相关的电压斜坡目标和定时控制进行的峰值电流和编程时间优化在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器设备,包括: 多个存储器单元,所述多个存储器单元分别电耦接到多个位线;和 控制电路,所述控制电路耦接到所述多个存储器单元并且被配置为在包括多个编程循环的编程操作中对所述多个存储器单元进行编程,所述控制电路还被配置为: 对所述编程循环进行计数以建立编程循环序列的循环计数,从而完成所述编程操作, 在两个时段中对耦接到将被禁止进一步编程的存储器单元的多个位线进行预充电,所述两个时段包括电流限制时段和电流不限制时段,以及 在至少一个编程循环中,响应于施加到耦接到将被禁止进一步编程的所述存储器单元的位线的电压超过目标电压,发生从预充电的所述电流限制时段到所述电流不限制时段的转变;以及 如果所述循环计数的位置在所述编程循环序列的开始节段,则将所述目标电压设定为第一较低目标电压,如果所述循环计数的位置在所述编程循环序列的中间节段,则将所述目标电压设定为较高目标电压值,并且如果所述循环计数的位置在所述编程循环序列的结束节段,则将所述目标电压设定为第二较低目标电压值。
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