昕原半导体(杭州)有限公司仇圣棻获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(杭州)有限公司申请的专利阻变随机存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210629601.3，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权阻变随机存储器及其制备方法是由仇圣棻;陈亮;李晓波;杨芸;潘国华;曹恒设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变随机存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阻变随机存储器及制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上填充介电材料层并处理至下电极的上表面，保留两ReRAM切换层之间的介电材料层；在介电材料层上设置下电极的金属接触，金属接触延伸至相邻的两个ReRAM切换层之间，以形成阻变随机存储器。利用上述的发明能够提高存储单元密度，避免蚀刻工艺对结构造成的损伤。
本发明授权阻变随机存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变随机存储器的制备方法，其特征在于，包括： 在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对所述下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极； 在所述下电极上形成ReRAM切换层，所述ReRAM切换层仅覆盖在所述下电极的两个侧面和顶面； 在所述ReRAM切换层上填充介电材料层并平坦化处理至所述下电极的上表面，保留两ReRAM切换层之间的介电材料层；其中，对所述介电材料层进行平坦化处理至所述下电极的上表面，形成阻变随机存储器的基础结构； 在所述介电材料层上设置下电极的金属接触，所述金属接触延伸至相邻的两个ReRAM切换层之间，以形成所述阻变随机存储器； 其中，在所述ReRAM切换层上设置金属接触的过程包括： 在所述基础结构上设置表面介电层； 在相邻的两个ReRAM切换层之间设置锥形金属孔； 在所述金属孔内填充金属介质，所述金属介质的表面延伸至所述表面介电层处，以形成所述金属接触。
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