买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种氮化镓P-MOSFET晶体管结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211170638.0，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种氮化镓P-MOSFET晶体管结构及其制造方法是由周琦;陈匡黎;柏鹏翔;朱厉阳;张波设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓P-MOSFET晶体管结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明设计涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种氮化镓P‑MOSFET晶体管结构及其制造方法。本发明采用了双异质结外延结构进行器件制备，利用凹槽栅技术实现增强型氮化镓P‑MOSFET晶体管，同时恢复栅极区域的二维电子气2DEG沟道；在此基础上，实现2DEG沟道与器件栅极的电学连接，为器件引入背栅；此外，通过在AlGaN势垒层的上侧或下侧插入的AlN层抑制从源极到栅极的漏电流，保证了背栅对P型导电沟道的调控作用。本发明充分利用了双异质结沟道的特点，在不使用背面工艺的情况下实现了背栅结构，为实现具有低亚阈值斜率和高导通电流密度的P型沟道氮化镓晶体管器件提供了有效的解决方案。

本发明授权一种氮化镓P-MOSFET晶体管结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓P-MOSFET晶体管结构，包括外延衬底基片1、设置在衬底基片1上表面的氮化镓缓冲层2、设置在氮化镓缓冲层2上表面的非故意掺杂氮化镓沟道层3、设置在非故意掺杂氮化镓沟道层3上的第一铝氮插入层51、设置在第一铝氮插入层51上的铝镓氮势垒层4、设置在铝镓氮势垒层4上的第二铝氮插入层52、设置在第二铝氮插入层52上的P型氮化镓沟道层6、设置P型氮化镓沟道层6上的介质钝化层7、以及金属电极，所述第二铝氮插入层52与P型氮化镓沟道层6的连接界面处生成二维空穴气；所述金属电极包括栅极9、源极10、漏极11，其中源极10和漏极11分别位于晶体管顶部的两端，栅极9位于晶体管顶部的中部，且源极10和漏极11沿器件垂直方向贯穿介质钝化层7后与P型氮化镓沟道层6的上表面接触；其特征在于，所述栅极9沿器件垂直方向贯穿介质钝化层7后，沿器件纵向方向，栅极9的两端沿器件垂直方向完全贯穿P型氮化镓沟道层6，而栅极9的中部沿器件垂直方向部分贯穿P型氮化镓沟道层6，并且在栅极9的两端沿器件横向方向的中部，还具有凸起结构，凸起结构沿器件垂直方向依次完全贯穿第二铝氮插入层52、铝镓氮势垒层4、第一铝氮插入层51后与非故意掺杂氮化镓沟道层3上表面接触；所述器件垂直方向、器件横向方向和器件纵向方向构成三维直角坐标系，并且器件横向方向是由源极10指向漏极11的方向，器件垂直方向是由器件顶部指向底部的方向；所述栅极9与第二铝氮插入层52的上表面之间、栅极9与P型氮化镓沟道层6之间、栅极9与源极10之间的介质钝化层7上表面、栅极9与漏极11之间的介质钝化层7上表面具有栅介质层8。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。