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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472685B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926911.1，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用是由杨玉珏;龙胤;霍能杰;束开翔;刘子浩;张欣;董华锋;吴福根设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用，该晶体管包括由少层二维导电层、少层二维铁电AgInP2Se6层和少层二维半导体沟道层依次层叠组成的三层全二维异质结构，源极和漏极位于所述二维导电层上；栅极位于所述二维导电层上，不与所述二维铁电AgInP2Se6层及所述沟道层接触。该全二维铁电型超陡坡晶体管呈现出了超陡峭的亚阈值摆幅、极低的操作电压和超快的操作频率，为未来大规模集成电路的发展提供了新的路径，在一实施例中，该晶体管在室温下的亚阈值摆幅最低可达到10mVdecade，突破了传统场效应管的理论极限值60mVdecade，其操作电压最小可达0.1V。

本发明授权一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种全二维铁电型超陡坡晶体管，其特征在于，包括三层全二维异质结构、源极、漏极和栅极，所述三层全二维异质结构由少层二维导电层、少层二维铁电AgInP2Se6层和少层二维半导体沟道层组成，所述少层二维铁电AgInP2Se6层位于所述二维导电层上，所述少层二维半导体沟道层位于所述二维铁电AgInP2Se6层上；源极和漏极位于所述二维导电层上；栅极位于所述二维导电层上，不与所述二维铁电AgInP2Se6层及所述沟道层接触，所述二维铁电AgInP2Se6层的厚度为1~100nm，所述二维导电层为石墨烯层； 其中，采用PVA干法转移工艺，将目标二维铁电AgInP2Se6层转移至所述二维导电层上，设置加热台温度为50~100℃，保温5~20分钟，获得高质量的二维导电层-二维铁电AgInP2Se6层界面；采用PVA干法转移工艺，将二维半导体沟道层转移至所述二维铁电AgInP2Se6层上，设置加热台温度为50~100℃，保温5~20分钟，获得三层全二维异质结构； 在栅极金属、源极金属和漏极金属设置之后，在惰性气体氛围下退火，退火温度为100~200℃，保温10~60分钟。

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