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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701973.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由武咏琴;卜伟海;任烨设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一器件区、以及第二器件区；在第一器件区的基底上形成第一沟道结构，包括一个或多个堆叠的第一沟道叠层，包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一沟道层，第一沟道结构具有第一宽度，且第一牺牲层的材料为含锗材料；在第二器件区的基底上形成第二沟道结构，包括一个或多个堆叠的第二沟道叠层，包括第二牺牲层和位于第二牺牲层上的第二沟道层，第二沟道结构具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度，其中，第二牺牲层的材料为含锗材料，第二牺牲层中锗的原子百分比大于第一牺牲层中锗的原子百分比；去除第一牺牲层和第二牺牲层；形成栅极结构。本发明使得去除第一牺牲层和第二牺牲层的时间趋于相同。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区、以及用于形成第二器件的第二器件区，所述第一器件的沟道宽度小于所述第二器件的沟道宽度； 在所述第一器件区的基底上形成第一沟道结构，所述第一沟道结构包括一个或多个堆叠的第一沟道叠层，所述第一沟道叠层包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的第一沟道层，沿所述第一沟道结构的延伸方向上，所述第一沟道结构包括第一沟道区，沿与所述第一沟道结构延伸方向相垂直的方向上，所述第一沟道结构具有第一宽度，且所述第一牺牲层的材料为含锗材料； 在所述第二器件区的基底上形成第二沟道结构，所述第二沟道结构包括一个或多个堆叠的第二沟道叠层，所述第二沟道叠层包括第二牺牲层和位于所述第二牺牲层上的第二沟道层，沿所述第二沟道结构的延伸方向上，所述第二沟道结构包括第二沟道区，沿与所述第二沟道结构延伸方向相垂直的方向上，所述第二沟道结构具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度，其中，所述第二牺牲层的材料为含锗材料，所述第二牺牲层中锗的原子百分比大于所述第一牺牲层中锗的原子百分比，所述第二牺牲层和所述第一牺牲层的厚度相同； 去除所述第一沟道区的第一牺牲层和第二沟道区的第二牺牲层； 去除所述第一沟道区的第一牺牲层和第二沟道区的第二牺牲层后，在所述第一沟道区和第二沟道区中，形成栅极结构，所述栅极结构包括环绕覆盖所述第一沟道层和第二沟道层的栅介质层，以及位于所述栅介质层上的栅电极层。

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