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龙图腾网获悉安徽熙泰智能科技有限公司申请的专利一种功函数可调微显示器结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311865.0，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权一种功函数可调微显示器结构及其制备工艺是由吕迅;刘胜芳;祖伟;尹立平;徐瑞;柏峰设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功函数可调微显示器结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功函数可调微显示器结构，包括硅基片、驱动电路衬底2和阳极，驱动电路衬底制备在硅基片中，阳极制备在硅基片上位于驱动电路衬底上方，所述阳极包括R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极，R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极均包括：粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层，在RGB三个像素阳极的功函数调节层中分别离子注入电子或空穴，提高阳极载流子迁移率，同时独立调节RGB阳极功函数4.5‑8eV和折射率，匹配不同的RGB发光材料需求，调整微腔效应，实现RGB像素光谱独立调节，提高效率，改善色域，解决传统MicroOLED白光+CF方案RGB像素出光无法调整，效率低，色域低的问题。本发明公开了一种功函数可调微显示器结构的制备工艺。

本发明授权一种功函数可调微显示器结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种功函数可调微显示器结构，其特征在于：包括硅基片1、驱动电路衬底2和阳极，驱动电路衬底2制备在硅基片1中，阳极制备在硅基片1上位于驱动电路衬底2上方，所述阳极包括R像素阳极3、G像素阳极4和B像素阳极5，R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极均包括：粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层，在RGB三个像素阳极的功函数调节层中分别离子注入电子或空穴；所述R像素阳极中功函数调节层注入电子或空穴，注入电子或空穴的能量为100-200KeV，注入电子或空穴的剂量为1E15-1E20；所述G像素阳极中功函数调节层注入电子或空穴，注入电子或空穴的能量为50-150KeV，注入电子或空穴的剂量为1E12-1E18；所述B像素阳极中功函数调节层注入电子或空穴，注入电子或空穴的能量为10-100KeV，注入电子或空穴的剂量为1E5-1E15；所述粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层自下而上依次设置，粘结层的厚度为10-1000A，所用材料为Ti、Ta、TiN或TaN；反射层的厚度为500-5000A，所用材料为Al或Ag高反射材料；扩散阻挡层的厚度为10-200A，所用材料为Ti、Ta、TiN或TaN；功函数调节层的厚度为100-5000A，所用材料为ITO、ITO、IGZO、IZO、ZnO或AZO；所述微显示器结构还包括像素定义层6，在阳极的两端部设置像素定义层6，在R像素阳极与G像素阳极之间及G像素阳极与B像素阳极之间均设置像素定义层6，像素定义层6为T型结构，像素定义层6的底部与阳极的底部平齐且均与硅基片1接触，像素定义层6的顶部高于阳极的顶部；通过开发RGB三像素分别离子注入，在RGB子像素阳极功函数调节层中分别离子注入电子或空穴，提高阳极载流子迁移率，同时独立调节RGB阳极功函数和折射率，匹配不同的RGB发光材料，调整微腔效应，实现RGB像素光谱独立调节；离子注入电子材料为：磷、砷或锑；离子注入空穴材料为：硼、镓或铟。

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