中国科学院微电子研究所屈芙蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110950479.5，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法是由屈芙蓉;唐陈丰;仵思笛;夏洋;范天庆;张雨萌;刘涛;卢维尔;李楠设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法，其中，方法包括：将石墨烯衬底进行清洗后放入原子层沉积腔室；往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理；分别通入铝前驱体和氧前驱体，进行原子层沉积过程，通过控制不同循环数，得到所需要的薄膜厚度；沉积完成后，将所述原子层沉积腔室的温度降为室温，取出Al2O3薄膜样品。解决了现有技术预处理手段都会对石墨烯表面造成一定的物理破坏或者引入不需要的种子层、官能团以及其他杂质，从而使得石墨烯基器件达不到人们所期望的效果的技术问题。
本发明授权一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法，其中，所述方法包括： 将石墨烯衬底进行清洗后放入原子层沉积腔室； 往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理； 分别通入铝前驱体和氧前驱体，进行原子层沉积过程，通过控制不同循环数，得到所需要的薄膜厚度； 沉积完成后，将所述原子层沉积腔室的温度降为室温，取出Al2O3薄膜样品； 所述往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理之前，所述方法还包括： 将所述原子层沉积腔室真空度抽到5×10-3Torr以下，并将所述原子层沉积腔室、充气管道、所述铝前驱体和所述氧前驱体加热到预定温度，保温0.5～1.5小时，保温的同时打开所述充气管道保持所述原子层沉积腔室压力在0.1～0.2Torr； 所述往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理，包括： 通入H2O分子时间为0.05s-0.1s，反应5s-10s，再进行5s-10s的吹扫，循环20-100次。
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