上海遇贤微电子有限公司谭凌云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海遇贤微电子有限公司申请的专利芯片互连结构及其制备方法和芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211402640.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权芯片互连结构及其制备方法和芯片封装结构是由谭凌云;谢文旭;罗勇;彭亮设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片互连结构及其制备方法和芯片封装结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片互连结构及其制备方法和芯片封装结构。芯片互连结构包括半导体层和第一布线层，半导体层具有朝向芯片的第一侧以及与第一侧相背设置的第二侧，半导体层内设有由第一侧贯穿至第二侧的第一电极；第一布线层，设于半导体层的第一侧，且包括彼此电隔离的多个第一布线和多个第二布线，第二布线与第一电极一一对应；其中，第一布线用于电连接两个芯片的第一芯片管脚；每一芯片的第二芯片管脚通过对应的第二布线和对应的第一电极与外部电路电连接。可扩大供电路径面积，且避免芯片出现供电不足的情形。
本发明授权芯片互连结构及其制备方法和芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片互连结构，其特征在于，所述芯片互连结构用于连接两个芯片，所述芯片包括多个第一芯片管脚和多个第二芯片管脚，所述芯片互连结构包括： 半导体层，具有朝向所述芯片的第一侧以及与所述第一侧相背设置的第二侧，所述半导体层内设有由所述第一侧贯穿至所述第二侧的第一电极；以及 第一布线层，设于所述半导体层的第一侧，且包括彼此电隔离的多个第一布线和多个第二布线，所述第二布线与所述第一电极一一对应； 其中，所述第一布线用于电连接两个所述芯片的所述第一芯片管脚； 每一所述芯片的所述第二芯片管脚通过对应的所述第二布线和对应的所述第一电极与外部电路电连接； 所述芯片互连结构还包括设于所述半导体层的所述第二侧的第二布线层，所述第二布线层背离所述半导体层的一侧设有与所述第一电极一一对应的多个第一外接管脚，所述第二布线层内设有与所述第一外接管脚一一对应的多个第三布线； 所述第一电极通过对应的所述第三布线和对应的第一外接管脚与外部电路电连接。
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