苏州龙驰半导体科技有限公司彭虎获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211537168.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法是由彭虎设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SICVDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法。所述提高SIC器件良率和可靠性的方法，包括对SIC晶片进行离子注入的步骤、对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤以及基于激活后的SIC晶片制作VDMOS器件结构的步骤，其中，对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤包括：在SIC晶片表面覆设保护层，并于3‑8个大气压条件下对所述SIC晶片进行退火处理，以激活注入的离子。本发明提供的一种提高SIC器件良率和可靠性的方法，相比于当前使用C膜保护的方式，可以减少器件particle的数量，提高器件的良率和可靠性。
本发明授权SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SIC器件良率和可靠性的方法，包括对SIC晶片进行离子注入的步骤、对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤以及基于激活后的SIC晶片制作VDMOS器件结构的步骤，其特征在于，对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤包括：在SIC晶片表面覆设保护层，再在3-8个大气压条件下对所述SIC晶片进行退火处理，控制退火处理的温度为1700~1800℃、时间为3~15min，以激活注入的离子，所述保护层包括第一保护层，所述第一保护层为氧化硅膜层或碳化硅膜层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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