中国电子科技集团公司第五十八研究所顾祥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种基于高温SOI工艺的栅调制SCR ESD保护器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310025395.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种基于高温SOI工艺的栅调制SCR ESD保护器件结构是由顾祥;杨佳楠;赵晓松;张庆东设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高温SOI工艺的栅调制SCR ESD保护器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于高温SOI工艺的栅调制SCRESD保护器件结构，属于半导体集成电路领域，包括P阱、HVNMOS漂移区、N型源漏注入区、P型源漏注入区、P型注入的PWELL侧面引出端、N型注入的HVN侧面引出端、多晶栅、器件有源区和接触孔。本发明基于超薄硅膜SOI材料实现LNPN管和LPNP管的回路，N型源漏注入区为NPN的发射极，P阱同时作为NPN的基极和PNP管的集电极，HVNMOS漂移区同时作为NPN管的集电极和PNP管的基极，P型源漏注入区为PNP管的发射极，多晶栅覆盖在P阱和HVNMOS漂移区上；版图上设计形成“王”字型横向NPNPSCRESD保护器件结构；经TLP测试评价，该结构单位面积泄放电流能力达0.02Aum以上，是同工艺GCDIODE保护结构的3倍以上。
本发明授权一种基于高温SOI工艺的栅调制SCR ESD保护器件结构在权利要求书中公布了：1.一种基于高温SOI工艺的栅调制SCRESD保护器件结构，其特征在于，包括P阱1、HVNMOS漂移区2、N型源漏注入区3、P型源漏注入区4、P型注入的PWELL侧面引出端5、N型注入的HVN侧面引出端6、多晶栅7、器件有源区8和接触孔9； 所述多晶栅7覆盖在所述P阱1和所述HVNMOS漂移区2上，并作为栅极控制端来调制SCR结构的ESD保护性能； 所述器件有源区8和所述多晶栅7实现对所述N型源漏注入区3和所述P型源漏注入区4的精准尺寸控制； 所述PWELL侧面引出端5位于所述P阱1的引出侧，所述N型注入的HVN侧面引出端6位于所述HVNMOS漂移区2的引出侧； 所述N型源漏注入区3、所述P阱1、所述HVNMOS漂移区2以及所述P型源漏注入区4上均开设有所述接触孔9。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励