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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM的写入方法、装置以及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111204583.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种MRAM的写入方法、装置以及电路是由哀立波;韩谷昌;杨晓蕾;王明设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MRAM的写入方法、装置以及电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MRAM的写入方法，包括：当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；在写0操作的写周期内，通过将第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；当对MRAM进行写1操作时，将参考电阻的阻值设置为第二电阻值；在写1操作的写周期内，通过将第二电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值。该方法能够提高写入成功率，同时避免器件中间态的影响。本申请还公开了一种MRAM的写入装置以及电路，均具有上述技术效果。

本发明授权一种MRAM的写入方法、装置以及电路在权利要求书中公布了：1.一种MRAM的写入方法，其特征在于，包括： 当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值； 在写0操作的写周期内，通过将所述第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；若阻性存储单元的阻值小于第一电阻值，则写入成功；如果阻性存储单元的阻值不小于第一电阻值，则写入失败； 当对所述MRAM进行写1操作时，将所述参考电阻的阻值设置为第二电阻值； 在写1操作的写周期内，通过将所述第二电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到所述预设阈值；若阻性存储单元的阻值大于第二电阻值，则写入成功；若阻性存储单元的阻值不大于第二电阻值，则写入失败； 所述第一电阻值等于所述阻性存储单元的平行态电阻均值加上n倍的平行态电阻标准差，所述第二电阻值等于所述阻性存储单元的反平行态电阻均值减去m倍的反平行态电阻标准差；n与m为正数。

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