昆山龙腾光电股份有限公司钟德镇获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211704454.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板是由钟德镇;祝伟鹏设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板在说明书摘要公布了：一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板，包括：衬底；位于衬底上由第一金属层经蚀刻图案化形成的扫描线和栅极；覆盖扫描线和栅极的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上依次设置的金属氧化物半导体层、第二金属层和隔离绝缘层；其中，隔离绝缘层、第二金属层和金属氧化物半导体层均被蚀刻图案化，第二金属层被蚀刻后形成数据线以及相互间隔开的源极和漏极，金属氧化物半导体层被蚀刻后在沟道位置形成半导体有源层，被蚀刻后的隔离绝缘层与数据线、源极和漏极上下重叠设置，数据线、源极和漏极的下方均层叠设置有金属氧化物半导体层，数据线、源极和漏极的侧面被氧化处理而形成有一层氧化层。
本发明授权金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括： 衬底10； 位于该衬底10上由第一金属层11经蚀刻图案化形成的扫描线和栅极111； 覆盖该扫描线和该栅极111的栅极绝缘层12； 位于该栅极绝缘层12上依次设置的金属氧化物半导体层13、第二金属层14和隔离绝缘层15； 其中，该隔离绝缘层15、该第二金属层14和该金属氧化物半导体层13均被蚀刻图案化，该第二金属层14被蚀刻后形成数据线以及相互间隔开的源极141和漏极142，该金属氧化物半导体层13被蚀刻后在沟道位置形成半导体有源层131，被蚀刻后的该隔离绝缘层15与该数据线、该源极141和该漏极142上下重叠设置，该数据线、该源极141和该漏极142的下方均层叠设置有该金属氧化物半导体层13，该数据线、该源极141和该漏极142的侧面被氧化处理而形成一层氧化层143。
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