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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116029126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006750.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法是由朱春辉;杨章琪;叶龙芳;柳清伙设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法在说明书摘要公布了：提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法，属于电磁工程领域。基于高阶泰勒级数方法，以更少的采样数据得到更加精确的阻抗矩阵元素，从而极大的节约计算资源，提高设计效率，通过在多种形状的旋转体电磁器件下进行仿真，证明在旋转体阻抗矩阵填充精度、速度与内存消耗上带来的优良效果以及对于模型的普适性。通过推导得到高阶积分后的模式格林函数表达式，以具体的电磁旋转体器件模型进行仿真，在方法中阶数的提升对于器件模型仿真精确度的提升具有实际的应用价值。高阶数值积分方法同时也带来效率上的提升，对比传统T型积分方法节约内存消耗并显著提高阻抗矩阵填充速度。

本发明授权提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法在权利要求书中公布了：1.提高求解旋转体电磁散射场时阻抗矩阵填充速度的方法，其特征在于包括以下步骤： 1对于任意形状的完全导电旋转体的辐射与散射问题，使用矩量法求解旋转体问题时，表面积分方程采用电场、磁场或组合场；利用旋转体的旋转对称性，引入傅里叶级数将入射平面波引起的原始三维问题转化为一系列二维问题：傅里叶分量或傅里叶模式；对于第n个傅里叶分量，单位源看作一个电流分布为cosnφ的环路，其辐射场称为模式格林函数： 式中，φ为旋转方位角，k对应角波数，R表示场点与源点距离； 计算物体广义阻抗的详细表达式为： 式中，k对应角波数，R表示场点与源点距离，Wi为测试函数，Jj是基函数，Zij为阻抗矩阵元素； 这对任意形状的物体都是有效的，而对于旋转体： 式中，φ为旋转方位角，h为旋转母线，s为旋转体表面； 该式对积分的部分提取出来是式1；对式2的计算中引入三角函数T，同时将T的导数近似为四个脉冲，在每个脉冲内坐标参数值近似为脉冲中点的坐标值；如此定义出脉冲的格林函数Gn： 将方位角φ划分为M等间隔，式4进一步化为： 进一步表示为： 其中： 其中，φm＝m-12πM； 2在柱坐标系下建立模型对模式格林函数整理推导；参数ρ、φ、z分别是柱坐标系中的坐标参数，而t则是产生旋转体表面S的母线，并且是一个长度变量；参数v表示母线t的切线方向与z轴正方向夹角大小，且当t远离z轴时该参数为正，反之为负；p，q表示旋转体表面S上任意两点，在数值运算中则表示矩阵中的排列组合；ρp、zp、vp以及ρq、zq、vq分别表示在p，q点的ρ、z、v参数值；式7中Rp表示p点与t上[t1,t2]间任一点的距离； 倘使q点位于区间的中点，那么定义出p点、q点两点之间的距离Rpq为： 为了方便地进行积分计算，式8并不能直接使用，而是用Rpq跟t进行表示；定义d为点p到tq切线的垂线段长度，则垂点到q点的长度为t0： t0＝|zp-zqcosvq+ρpcosφm-ρqsinvq|10 d2＝Rpq2-t0211 此时Rp表示为： 其中，t是在t0邻域内近似线性变化的积分变量，而d在p，q点确定时不随t的变化而变化，对式7的计算得到进一步简化； 3建立仿真器件阻抗矩阵填充的模型通式；对于积分式7，即使代入的几何关系也难以求出对t的定积分表达式；根据泰勒中值定理，若函数fx在x0处具有n阶导数，那么存在x0的一个邻域，对邻域内任意x，有： 那么当式7中的积分区间足够小，则有Rp→Rpq，对指数项进行n阶泰勒展开，并令余项为0，从而进行近似计算，即： 则原积分问题转化为多次项展开式的积分问题，进行n阶函数展开式的定积分表达式推导计算；为研究阶数的提升对误差的影响程度，需要推导多次项函数的积分结果，选取一阶到四阶共四种情况下的多项式进行计算，分别保留泰勒展开多项式的一次到四次项；展开式通式定义为： 分别当n＝1，2，3，4时的结果：

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