江西兆驰半导体有限公司侯合林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种GaN基LED外延片及外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310125951.0，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种GaN基LED外延片及外延生长方法是由侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基LED外延片及外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法，通过控制扩展层和滞缓层中扩展子层和滞缓子层In含量先升高再降低的变化，可以使得有源层与滞缓层以及扩展层之间产生势阱深度，且靠近有源层一侧滞缓层的势阱相对更深，可有效减缓电子向有源层的迁移速率，提高有源层对电子局限能力，改善电子注入P型氮化物层发生非辐射复合，最终到达提高发光效率的目的。
本发明授权一种GaN基LED外延片及外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括扩展层和沉积于所述扩展层上的滞缓层，所述扩展层包括依次层叠的若干扩展子层，所述滞缓层包括依次层叠的若干滞缓子层，且所述扩展子层和所述滞缓子层均由InGaN层和GaN层依次层叠而成，在生长所述扩展子层和所述滞缓子层的过程中均掺杂In和Si； 其中，在生长所述扩展子层和所述滞缓子层的过程中，In含量沿外延生长方向先升高再降低，Si含量沿外延生长方向先降低再升高，且所述In含量的最大值对应于所述Si含量的最小值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励