江西兆驰半导体有限公司周志兵获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种氮化镓层粗化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211740882.6，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种氮化镓层粗化的方法是由周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓层粗化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓层粗化的方法，涉及半导体技术领域，所述氮化镓层粗化的方法包括提供待粗化的晶圆，所述晶圆包括衬底，以及设于所述衬底之上的氮化镓层；将所述氮化镓层间隔预设距离进行预设角度刻蚀，直至暴露所述衬底，以形成若干个氮化镓子层；将刻蚀后的晶圆放入氧化溶液中氧化第一预设时间；将氧化后的晶圆放入粗化溶液中，以预设频率和预设温度对晶圆进行超声并保持第二预设时间，以对所述氮化镓子层的侧壁和表面进行粗化。本发明能够解决现有技术中氮化镓层表面粗化质量差、存在损伤的技术问题。
本发明授权一种氮化镓层粗化的方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓层粗化的方法，其特征在于，所述氮化镓层粗化的方法包括： 提供待粗化的晶圆，所述晶圆包括衬底，以及设于所述衬底之上的氮化镓层； 将所述氮化镓层间隔预设距离进行预设角度刻蚀，直至暴露所述衬底，以形成若干个氮化镓子层； 将刻蚀后的晶圆放入氧化溶液中氧化第一预设时间； 将氧化后的晶圆放入粗化溶液中，以预设频率和预设温度对晶圆进行超声并保持第二预设时间，以对所述氮化镓子层的侧壁和表面进行粗化。
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