弗萨姆材料美国有限责任公司M·R·麦克唐纳获国家专利权
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龙图腾网获悉弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于锗种子层的组合物及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180062806.1，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权用于锗种子层的组合物及其使用方法是由M·R·麦克唐纳;萧满超设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于锗种子层的组合物及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于a形成含硅膜和b将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面，提供了如本文所描述的式I的前体和或式II的前体。
本发明授权用于锗种子层的组合物及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种通过沉积工艺在衬底的至少一个表面上形成含锗膜的方法，所述方法包括： 在反应室中提供所述衬底的该至少一个表面，所述衬底具有暴露的表面羟基； 向所述反应室中引入至少一种由下式I表示的包含连接到至少一个硅原子的至少一个乙烯基和至少一个有机氨基锚定基团的有机氨基-乙烯基硅烷前体，或至少一种由下式II表示的包含连接到至少一个硅原子的至少一个烯丙基和至少一个有机氨基锚定基团的有机氨基-烯丙基硅烷前体： 其中R选自直链或支链C至C10烷基、直链或支链C至C10烯基、直链或支链C至C10炔基、C至C10环烷基和C至C10芳基；R选自氢、直链或支链C至C10烷基、直链或支链C至C烯基、直链或支链C至C炔基、C至C10环烷基和C至C10芳基；R和R各自独立地选自氢、直链或支链C-C10烷基、直链或支链C-C烯基、直链或支链C-C炔基、C-C10环烷基、C-C10芳基、C-C10直链、环状或支链烷氧基，如上所定义的有机氨基NR和选自Cl、Br和I的卤基； 用吹扫气体吹扫所述反应室； 将至少一种包含至少一个Ge-H键的第一含锗前体引入到所述反应室中； 用吹扫气体吹扫所述反应室； 将与所述第一含锗前体相同或不同的至少一种第二含锗前体引入到所述反应室中。
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