长江存储科技有限责任公司杜小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116114395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180017818.2，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制造方法是由杜小龙;高庭庭;夏志良;孙昌志;刘佳裔;刘小欣设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括堆叠结构，堆叠结构包括第一堆叠层和第二堆叠层，其中，第一堆叠层包括交替堆叠的控制栅极层和第一介质层，第二堆叠层包括交替堆叠的顶部选择栅极层和第二介质层；多个沟道结构，沟道结构贯穿堆叠结构并包括电荷存储层，电荷存储层包括沿堆叠结构的堆叠方向间断设置的多个电荷存储部分，电荷存储部分设于相邻的所述第一介质层之间；以及至少一个隔离结构，贯穿顶部选择栅极层且位于相邻的沟道结构之间。本申请实施方式提供三维存储器及制造方法能够维持顶部选择栅切线的工艺窗口不变，减少存储密度损失。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括第一堆叠层和第二堆叠层，其中，所述第一堆叠层包括交替堆叠的控制栅极层和第一介质层，所述第二堆叠层包括交替堆叠的顶部选择栅极层和第二介质层； 多个沟道结构，所述沟道结构贯穿所述堆叠结构并包括电荷捕获型的电荷存储层，其中，所述电荷存储层包括沿所述堆叠结构的堆叠方向间断设置的多个电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的所述第一介质层之间；以及 至少一个隔离结构，贯穿所述顶部选择栅极层且位于相邻的所述沟道结构之间，所述隔离结构与所述沟道结构间隔； 所述沟道结构包括：由所述控制栅极层包围的多个第一部分以及由所述第二堆叠层和所述第一介质层包围的多个第二部分，其中，所述第一部分的第一径向尺寸大于所述第二部分整体的第二径向尺寸。
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