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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116148912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211714637.8，技术领域涉及：G01T1/02；该发明授权一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法是由孙静;荀明珠;刘海涛;张兴尧;李小龙;崔江维;郑齐文;李豫东;郭旗设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提高了辐射剂量的测量量程，进而对辐射过程进行精准控制。

本发明授权一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，对待测晶体管进行充电操作，使其处于编程态，并利用半导体参数测试装置测量得到第一特性曲线；所述待测晶体管为带有浮栅结构的半导体晶体管；所述第一特性曲线是指待测晶体管未辐照之前的初始Id-Vgs转移特性曲线； 步骤2，从步骤1所述第一特性曲线中选取一个电流值Id，进而得到待测晶体管在该电流值下对应的栅极电压VT初； 步骤3，将步骤1处于编程态的待测晶体管的全部管脚短接，并将其置于辐射场内进行第一次辐照后取出，利用半导体参数测试装置测量得到第二特性曲线；所述第二特性曲线是指待测晶体管在辐照后的Id-Vgs转移特性曲线； 步骤4，从步骤3所述第二特性曲线中选取与步骤2相同的电流值Id，进而得到待测晶体管经辐照后在该电流值下对应的栅极电压VT后； 步骤5，结合步骤2的栅极电压VT初和步骤4的栅极电压VT后得到待测晶体管在第一次辐照后阈值电压的差值ΔVT1，其中，ΔVT1＝VT初–VT后；将ΔVT1作为表征该待测晶体管辐射剂量的物理参量； 步骤6，对待测晶体管进行擦除操作，去除待测晶体管内的电荷，并按照步骤1至步骤5的方法重复进行N次辐射测量后，分别得到待测晶体管在辐照后阈值电压的差值ΔVT2，ΔVT3……ΔVTN，其中N≥5； 步骤7，根据待测晶体管辐照的次数计算得到每次辐照后的辐射剂量累积值，再结合每次辐照后阈值电压的差值ΔVT1，ΔVT2，ΔVT3……ΔVTN，得到该待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积值的变化曲线，进而完成浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量。

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