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龙图腾网获悉帅群微电子股份有限公司申请的专利沟槽式功率半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111418264.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权沟槽式功率半导体元件及其制造方法是由许修文设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽式功率半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。半导体元件包括外延层、底部绝缘层、栅绝缘层、遮蔽电极、栅极及隔离结构。外延层具有至少一沟槽，底部绝缘层与栅绝缘层分别覆盖沟槽的下方内壁面与上方内壁面。遮蔽电极设置于至少一沟槽内，底部绝缘层围绕遮蔽电极。栅极设置于遮蔽电极上，并通过栅绝缘层与外延层隔离。隔离结构位于栅极与遮蔽电极之间，包括覆盖部及间隔部分。覆盖部覆盖遮蔽电极的顶部以及底部绝缘层，定义出至少一凹陷区，间隔部分位于至少一凹陷区内。间隔部分包括第一阻隔部分以及填充主体部。第一阻隔部分夹设于填充主体部与覆盖部之间。填充主体部封闭至少一凹陷区，且填充主体部与第一阻隔部分分别由不同材料构成。

本发明授权沟槽式功率半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式功率半导体元件，其特征在于，所述沟槽式功率半导体元件包括： 一外延层，其具有至少一沟槽； 一底部绝缘层，其覆盖所述沟槽的一下方内壁面； 一栅绝缘层，其覆盖所述沟槽的一上方内壁面； 一遮蔽电极，设置于至少一所述沟槽内，其中，所述底部绝缘层围绕所述遮蔽电极； 一栅极，其设置于所述遮蔽电极上，并通过所述栅绝缘层与所述外延层隔离；以及 一隔离结构，其位于所述栅极与所述遮蔽电极之间，其中，所述隔离结构包括： 一覆盖部，其覆盖所述遮蔽电极的一顶部以及所述底部绝缘层，并连接于所述栅绝缘层，其中，所述覆盖部定义出至少一凹陷区；以及 一间隔部分，其位于至少一所述凹陷区内，且包括一第一阻隔部分以及一填充主体部，所述第一阻隔部分夹设于所述填充主体部与所述覆盖部之间，所述填充主体部封闭至少一所述凹陷区，且所述填充主体部与所述第一阻隔部分分别由不同材料构成； 其中，构成所述填充主体部的材料包括氧化硅及多晶硅，所述多晶硅内埋于所述氧化硅内，且与所述栅极隔离。

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