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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于热成像的异质结热物理性质测量方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116242876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211518165.9，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权基于热成像的异质结热物理性质测量方法和装置是由曹炳阳;刘智珂设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于热成像的异质结热物理性质测量方法和装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于热成像的异质结热物理性质测量方法和装置，包括：基于有限元仿真计算，根据第一测试时长内的第Ⅰ变化离散点得到待测异质结样本的基底的热导率；基于有限元仿真计算，根据第二测试时长内的第Ⅰ变化离散点和基底的热导率得到基底的比热；基于有限元仿真计算，根据第三测试时长内的第Ⅱ变化离散点和基底的热导率、比热得到待测异质结样本的界面热阻和薄膜的比热；基于有限元仿真计算，根据第四测试时长内的第Ⅲ变化离散点与界面热阻、薄膜的比热和基底的热导率、比热，得到薄膜的热导率。本发明实现了多个参数的同时测量，提高了测量效率，且利用有限元仿真计算，提高了测量精度。

本发明授权基于热成像的异质结热物理性质测量方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于热成像的异质结热物理性质测量方法，其特征在于，包括： 在测试时长内，获取待测异质结样本的第Ⅰ目标区域的多个第Ⅰ平均温升值，以得到所述第Ⅰ平均温升值在所述测试时长内随时间变化的第Ⅰ变化离散点； 基于有限元仿真计算，根据第一测试时长内的所述第Ⅰ变化离散点得到所述待测异质结样本的基底的热导率； 基于有限元仿真计算，根据第二测试时长内的所述第Ⅰ变化离散点和所述基底的热导率得到所述基底的比热； 在所述测试时长内，获取待测异质结样本的第Ⅱ目标区域的多个第Ⅱ平均温升值和第Ⅲ目标区域的多个第Ⅲ平均温升值，以得到所述第Ⅱ平均温升值在所述测试时长内随时间变化的第Ⅱ变化离散点，和所述第Ⅲ平均温升值在所述测试时长内随时间变化的第Ⅲ变化离散点； 基于有限元仿真计算，根据第三测试时长内的所述第Ⅱ变化离散点和所述基底的热导率、比热得到所述待测异质结样本的界面热阻和薄膜的比热； 基于有限元仿真计算，根据第四测试时长内的所述第Ⅲ变化离散点与所述界面热阻、所述薄膜的比热和所述基底的热导率、比热，得到所述薄膜的热导率； 其中，所述第Ⅰ平均温升值、第Ⅱ平均温升值和所述第Ⅲ平均温升值是通过热成像方法对所述待测异质结样本表面进行测定得到的； 在测试时长内，获取待测异质结样本的第Ⅰ目标区域的多个第Ⅰ平均温升值，以得到所述第Ⅰ平均温升值在所述第一测试时长内随时间变化的第Ⅰ变化离散点，之前还包括： 在所述待测异质结样本的薄膜的至少部分表面设置加热电极； 所述第Ⅰ目标区域的范围为距离所述加热电极l1～l1+Δl1；l1为3μm～8μm，Δl1为2μm～7μm；第Ⅱ目标区域的范围为距离所述加热电极l2～l2+Δl2，l2为1μm～5μm，Δl2为1μm～4μm；第Ⅲ目标区域的范围为距离所述加热电极l3～l3+Δl3，l3为5μm～10μm，Δl3为1μm～4μm。

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