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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280006757.4，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体装置是由平田朋也设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明防止陶瓷电路基板发生破裂。陶瓷电路基板30、40、50包括陶瓷基板31、41、51、配置于陶瓷基板31、41、51的正面且搭载半导体芯片60a～62a的高电位电路图案32a、42a、52a、搭载半导体芯片60b～62b的中间电位电路图案32b、42b、52b、低电位电路图案32c、42c、52c以及控制电路图案32d、42d、52d，陶瓷电路基板30、40、50跨越中心线XL地配置于冷却基底基板70的正面。控制电路图案32d、42d、52d在凹陷部的开口侧跨越中心线XL地配置。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 第一半导体芯片、第二半导体芯片； 冷却基底基板，其在俯视时呈矩形状，依次配置有第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面，并设定有与所述第一侧面和所述第三侧面平行且通过中心的中心线；以及 绝缘电路基板，其包括绝缘板、配置于所述绝缘板的正面且搭载所述第一半导体芯片的高电位电路图案、搭载所述第二半导体芯片的中间电位电路图案、低电位电路图案以及控制电路图案，所述绝缘电路基板跨越所述中心线地配置于所述冷却基底基板的正面， 所述高电位电路图案在所述中心线的所述第一侧面侧的侧部具备搭载所述第一半导体芯片的第一芯片搭载区域， 所述中间电位电路图案呈在所述第四侧面侧具有开口的凹形状，并且具备包围所述第一芯片搭载区域的至少一部分的凹陷部、配置在所述中心线的所述第三侧面侧的侧部且搭载所述第二半导体芯片的第二芯片搭载区域、隔着所述凹陷部与所述第二芯片搭载区域相对的输出布线连接区域、以及将所述第二芯片搭载区域与所述输出布线连接区域相连且跨越所述中心线地配置的连通布线区域， 所述控制电路图案在所述凹陷部的开口侧跨越所述中心线地配置。

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